HGTG30N60C3D Preise (USD) [11602Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HGTG30N60C3D
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 63A 208W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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HGTG30N60C3D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGTG30N60C3D
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 63A 208W TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
63A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
252A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 30A
Leistung max :
208W
Energie wechseln :
1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
162nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
-
Testbedingung :
-
Reverse Recovery Time (trr) :
60ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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