NGTB05N60R2DT4G Preise (USD) [9663Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NGTB05N60R2DT4G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 5A 600V DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NGTB05N60R2DT4G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NGTB05N60R2DT4G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 5A 600V DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
20A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 5A
Leistung max :
56W
Energie wechseln :
188µJ (on), 60µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
44ns/82ns
Testbedingung :
300V, 5A, 30 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
70ns
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
DPAK
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