Infineon Technologies - IPB60R125C6ATMA1

KEY Part #: K6399712

IPB60R125C6ATMA1 Preise (USD) [33041Stück Lager]

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Artikelnummer:
IPB60R125C6ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R125C6ATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPB60R125C6ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 960µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2127pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 219W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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