Vishay Siliconix - IRFIBF20GPBF

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Artikelnummer:
IRFIBF20GPBF
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFIBF20GPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFIBF20GPBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 720mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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