Artikelnummer :
IPAN60R800CEXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
373pF @ 100V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
27W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack