TT8U1TR Preise (USD) [358318Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TT8U1TR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor TT8U1TR elektronische Komponenten. TT8U1TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TT8U1TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TT8U1TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TT8U1TR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSST
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
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