Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-SD303C10S10C

KEY Part #: K6436165

VS-SD303C10S10C Preise (USD) [1473Stück Lager]

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Artikelnummer:
VS-SD303C10S10C
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA. Rectifiers 1000 Volt 350 Amp
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-SD303C10S10C Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-SD303C10S10C
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 350A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.26V @ 1100A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 35mA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Clamp On
Paket / fall : DO-200AA, A-PUK
Supplier Device Package : DO-200AA, A-PUK
Betriebstemperatur - Übergang : -

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