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ON Semiconductor - FDC6506P

KEY Part #: K6522734

FDC6506P Preise (USD) [386259Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09624
  • 3,000 pcs$0.09576
Artikelnummer:
FDC6506P
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDC6506P elektronische Komponenten. FDC6506P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDC6506P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6506P Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDC6506P
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 15V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : SuperSOT™-6

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