IRL40T209ATMA1 Preise (USD) [26634Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRL40T209ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRL40T209ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL40T209ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Serie :
StrongIRFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
269nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16000pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-1
Paket / fall :
8-PowerSFN
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