FQB50N06TM Preise (USD) [144409Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQB50N06TM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQB50N06TM elektronische Komponenten. FQB50N06TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQB50N06TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQB50N06TM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQB50N06TM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1540pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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