SCT2450KEC Preise (USD) [11226Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCT2450KEC
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor SCT2450KEC elektronische Komponenten. SCT2450KEC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SCT2450KEC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SCT2450KEC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCT2450KEC
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
585 mOhm @ 3A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
463pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
85W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
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