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- Artikelnummer:
- IXCP01N90E
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXCP01N90E elektronische Komponenten. IXCP01N90E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXCP01N90E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXCP01N90E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXCP01N90E
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
250mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
133pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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