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- Artikelnummer:
- IXCY01N90E
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXCY01N90E elektronische Komponenten. IXCY01N90E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXCY01N90E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXCY01N90E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXCY01N90E
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
250mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
133pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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