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Microsemi Corporation - APT50GR120B2

KEY Part #: K6421762

APT50GR120B2 Preise (USD) [7709Stück Lager]

  • 1 pcs$5.34569
  • 10 pcs$4.86136
  • 25 pcs$4.49690
  • 100 pcs$4.13227
  • 250 pcs$3.76765
  • 500 pcs$3.52459
Artikelnummer:
APT50GR120B2
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 117A 694W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT50GR120B2 elektronische Komponenten. APT50GR120B2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT50GR120B2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GR120B2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT50GR120B2
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 117A 694W TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 117A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 50A
Leistung max : 694W
Energie wechseln : 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 445nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 28ns/237ns
Testbedingung : 600V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247

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