CSD13306WT Preise (USD) [259492Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD13306WT
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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CSD13306WT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD13306WT
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1370pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / fall :
6-UFBGA, DSBGA
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