Infineon Technologies - IRFR13N20DTRPBF

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Artikelnummer:
IRFR13N20DTRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR13N20DTRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFR13N20DTRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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