IXYS-RF - IXFK55N50F

KEY Part #: K6397771

IXFK55N50F Preise (USD) [3594Stück Lager]

  • 1 pcs$14.35303
  • 10 pcs$13.27493
  • 100 pcs$11.33741

Artikelnummer:
IXFK55N50F
Hersteller:
IXYS-RF
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 55A TO264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS-RF IXFK55N50F elektronische Komponenten. IXFK55N50F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFK55N50F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK55N50F Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFK55N50F
Hersteller : IXYS-RF
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 55A TO264
Serie : HiPerRF™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 560W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-264 (IXFK)
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

Sie könnten auch interessiert sein an
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.