Infineon Technologies - FD1000R17IE4BOSA2

KEY Part #: K6533656

FD1000R17IE4BOSA2 Preise (USD) [168Stück Lager]

  • 1 pcs$273.90251

Artikelnummer:
FD1000R17IE4BOSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies FD1000R17IE4BOSA2 elektronische Komponenten. FD1000R17IE4BOSA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FD1000R17IE4BOSA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD1000R17IE4BOSA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FD1000R17IE4BOSA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : -
Leistung max : 6250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.