DMPH6050SK3Q-13 Preise (USD) [2993Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMPH6050SK3Q-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q-13 elektronische Komponenten. DMPH6050SK3Q-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMPH6050SK3Q-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMPH6050SK3Q-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMPH6050SK3Q-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1377pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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