Infineon Technologies - IRF6646TRPBF

KEY Part #: K6393570

IRF6646TRPBF Preise (USD) [86334Stück Lager]

  • 1 pcs$0.45516
  • 4,800 pcs$0.45290

Artikelnummer:
IRF6646TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6646TRPBF elektronische Komponenten. IRF6646TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6646TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6646TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF6646TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta), 68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2060pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DIRECTFET™ MN
Paket / fall : DirectFET™ Isometric MN