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- Artikelnummer:
- IXFM35N30
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- POWER MOSFET TO-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFM35N30 elektronische Komponenten. IXFM35N30 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFM35N30 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFM35N30 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFM35N30
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-204AE
Paket / fall :
TO-204AE
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