IXYS - IXTQ180N10T

KEY Part #: K6397389

IXTQ180N10T Preise (USD) [21548Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTQ180N10T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ180N10T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTQ180N10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 151nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3