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- Artikelnummer:
- PSMN040-200W,127
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 50A SOT429.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
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PSMN040-200W,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PSMN040-200W,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9530pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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