FCH099N65S3-F155 Preise (USD) [21344Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FCH099N65S3-F155
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- SF3 650V 99MOHM E TO247L.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCH099N65S3-F155 elektronische Komponenten. FCH099N65S3-F155 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCH099N65S3-F155 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FCH099N65S3-F155 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCH099N65S3-F155
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
SF3 650V 99MOHM E TO247L
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2480pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
227W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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