Infineon Technologies - IRF7809PBF

KEY Part #: K6408339

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    Artikelnummer:
    IRF7809PBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7809PBF elektronische Komponenten. IRF7809PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7809PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7809PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF7809PBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 28V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14.5A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±12V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : -
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SO
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)