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- Artikelnummer:
- BSO612CV
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO612CV elektronische Komponenten. BSO612CV kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO612CV haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO612CV Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO612CV
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
P-DSO-8
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