SIHP050N60E-GE3 Preise (USD) [9140Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIHP050N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIHP050N60E-GE3 elektronische Komponenten. SIHP050N60E-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIHP050N60E-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIHP050N60E-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIHP050N60E-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V
Serie :
E
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3459pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
278W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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