IPD30N12S3L31ATMA1 Preise (USD) [183302Stück Lager]
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- 2,500 pcs$0.16463
- Artikelnummer:
- IPD30N12S3L31ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL100.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD30N12S3L31ATMA1 elektronische Komponenten. IPD30N12S3L31ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD30N12S3L31ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD30N12S3L31ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD30N12S3L31ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL100
Serie :
*
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
-
Technologie :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
-
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
-
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