IPI50N10S3L16AKSA1 Preise (USD) [96163Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI50N10S3L16AKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI50N10S3L16AKSA1 elektronische Komponenten. IPI50N10S3L16AKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI50N10S3L16AKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI50N10S3L16AKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI50N10S3L16AKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4180pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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