Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10F-E3/54

KEY Part #: K6458197

EGP10F-E3/54 Preise (USD) [955275Stück Lager]

  • 1 pcs$0.03872
  • 11,000 pcs$0.03540

Artikelnummer:
EGP10F-E3/54
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL. Rectifiers 1.0 Amp 300 Volt
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10F-E3/54 elektronische Komponenten. EGP10F-E3/54 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EGP10F-E3/54 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP10F-E3/54 Produkteigenschaften

Artikelnummer : EGP10F-E3/54
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL
Serie : SUPERECTIFIER®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package : DO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in