Microsemi Corporation - APT106N60B2C6

KEY Part #: K6394749

APT106N60B2C6 Preise (USD) [5306Stück Lager]

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  • 10 pcs$7.76293
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Artikelnummer:
APT106N60B2C6
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT106N60B2C6 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT106N60B2C6
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 106A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3.4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 308nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8390pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 833W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : T-MAX™ [B2]
Paket / fall : TO-247-3 Variant