PHKD13N03LT,518 Preise (USD) [3920Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PHKD13N03LT,518
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. PHKD13N03LT,518 elektronische Komponenten. PHKD13N03LT,518 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PHKD13N03LT,518 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PHKD13N03LT,518 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHKD13N03LT,518
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
752pF @ 15V
Leistung max :
3.57W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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