E3M0120090D Preise (USD) [12304Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- E3M0120090D
- Hersteller:
- Cree/Wolfspeed
- Detaillierte Beschreibung:
- E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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E3M0120090D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
E3M0120090D
Hersteller :
Cree/Wolfspeed
Beschreibung :
E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, E
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.3nC @ 15V
Vgs (Max) :
+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 600V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
97W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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