E3M0120090D Preise (USD) [12304Stück Lager]
- 1 pcs$3.34932
- Artikelnummer:
- E3M0120090D
- Hersteller:
- Cree/Wolfspeed
- Detaillierte Beschreibung:
- E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Cree/Wolfspeed E3M0120090D elektronische Komponenten. E3M0120090D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu E3M0120090D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
E3M0120090D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
E3M0120090D
Hersteller :
Cree/Wolfspeed
Beschreibung :
E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC
Serie :
Automotive, AEC-Q101, E
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.3nC @ 15V
Vgs (Max) :
+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 600V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
97W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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