Transphorm - TP65H035WS

KEY Part #: K6398636

TP65H035WS Preise (USD) [4802Stück Lager]

  • 1 pcs$9.02045

Artikelnummer:
TP65H035WS
Hersteller:
Transphorm
Detaillierte Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WS Produkteigenschaften

Artikelnummer : TP65H035WS
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 46.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3

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