TP65H035WS Preise (USD) [4802Stück Lager]
- 1 pcs$9.02045
- Artikelnummer:
- TP65H035WS
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Transphorm TP65H035WS elektronische Komponenten. TP65H035WS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TP65H035WS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TP65H035WS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TP65H035WS
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
46.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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