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Microsemi Corporation - APT40GP90B2DQ2G

KEY Part #: K6424275

APT40GP90B2DQ2G Preise (USD) [8035Stück Lager]

  • 30 pcs$7.66656
Artikelnummer:
APT40GP90B2DQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 900V 101A 543W TMAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT40GP90B2DQ2G elektronische Komponenten. APT40GP90B2DQ2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT40GP90B2DQ2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT40GP90B2DQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT40GP90B2DQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 900V 101A 543W TMAX
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 900V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 101A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 160A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 40A
Leistung max : 543W
Energie wechseln : 795µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 145nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 14ns/90ns
Testbedingung : 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3 Variant
Supplier Device Package : -

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