IRG8CH50K10F Preise (USD) [16760Stück Lager]
- 1 pcs$3.77680
- Artikelnummer:
- IRG8CH50K10F
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT CHIP WAFER.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRG8CH50K10F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRG8CH50K10F
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT CHIP WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
-
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 50A
Leistung max :
-
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
245nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
60ns/285ns
Testbedingung :
600V, 50A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
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