Microsemi Corporation - JANTXV1N6630

KEY Part #: K6446709

JANTXV1N6630 Preise (USD) [3136Stück Lager]

  • 1 pcs$13.87849
  • 100 pcs$13.80944

Artikelnummer:
JANTXV1N6630
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N6630 elektronische Komponenten. JANTXV1N6630 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N6630 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6630 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N6630
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/590
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 900V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 900V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : E, Axial
Supplier Device Package : E-PAK
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • IDB18E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

  • VS-30CPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

  • VS-80EPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF04PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.

  • MBR1650HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

  • SRP600J-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600.