STD2HNK60Z-1 Preise (USD) [68263Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STD2HNK60Z-1
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 2A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STD2HNK60Z-1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STD2HNK60Z-1
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Serie :
SuperMESH™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
45W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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