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- Artikelnummer:
- US1JHE3/5AT
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division US1JHE3/5AT elektronische Komponenten. US1JHE3/5AT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu US1JHE3/5AT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
US1JHE3/5AT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
US1JHE3/5AT
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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