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- Artikelnummer:
- PMPB12UN,115
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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PMPB12UN,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PMPB12UN,115
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
886pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-DFN2020MD (2x2)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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