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- Artikelnummer:
- BSM50GD120DN2G
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSM50GD120DN2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM50GD120DN2G
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
78A
Leistung max :
400W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
33nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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