SIZ320DT-T1-GE3 Preise (USD) [245327Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZ320DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ320DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ320DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ320DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ320DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ320DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Serie :
PowerPAIR®, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Leistung max :
16.7W, 31W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-Power33 (3x3)
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