Artikelnummer :
TSM170N06PQ56 RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1556pF @ 30V
Verlustleistung (max.) :
73.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN