Microsemi Corporation - JANTXV1N5802URS

KEY Part #: K6446641

JANTXV1N5802URS Preise (USD) [3109Stück Lager]

  • 1 pcs$13.99988
  • 100 pcs$13.93023

Artikelnummer:
JANTXV1N5802URS
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 1A APKG. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5802URS elektronische Komponenten. JANTXV1N5802URS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5802URS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5802URS Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5802URS
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : A-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • BAT54-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • IDB18E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

  • VS-50WQ10FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ04FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

  • VS-30CPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

  • VS-80EPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.