Infineon Technologies - IPD65R420CFDAATMA1

KEY Part #: K6418806

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Artikelnummer:
IPD65R420CFDAATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH TO252-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R420CFDAATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPD65R420CFDAATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH TO252-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 345µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 83.3W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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