IPA057N08N3GXKSA1 Preise (USD) [40837Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPA057N08N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPA057N08N3GXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPA057N08N3GXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4750pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
39W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-FP
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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