NVMFS5H663NLT1G Preise (USD) [179365Stück Lager]
- 1 pcs$0.20621
- Artikelnummer:
- NVMFS5H663NLT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- T8 60V LOW COSS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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NVMFS5H663NLT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFS5H663NLT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
T8 60V LOW COSS
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16.2A (Ta), 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 56µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1131pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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