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- Artikelnummer:
- TPC6111(TE85L,F,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPC6111(TE85L,F,M) elektronische Komponenten. TPC6111(TE85L,F,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPC6111(TE85L,F,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPC6111(TE85L,F,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC6111(TE85L,F,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Serie :
U-MOSV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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