Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21321

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AONR21321 Preise (USD) [625980Stück Lager]

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Artikelnummer:
AONR21321
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AONR21321 Produkteigenschaften

Artikelnummer : AONR21321
Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-DFN-EP (3x3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN

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