Artikelnummer :
TK20V60W5,LVQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 300V
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall :
4-VSFN Exposed Pad